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[发明专利]用于耦合多个半导体装置的设备及方法-CN202110653272.1在审
发明人： M·B·莱斯利;蒂莫西·M·霍利斯;R·E·格雷夫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：公开用于耦合半导体装置的设备及方法。在半导体装置群组(例如，半导体装置堆叠)中，将信号提供到所述群组的中间半导体装置处的耦合点，且在不同(例如，相反)信号路径上将所述信号远离所述耦合点传播到所述群组的其它半导体装置。与例如在群组的末端处的半导体装置(例如，堆叠的最低半导体装置、所述堆叠的最高半导体装置等)处具有耦合点且从所述耦合点提供信号相比，从所述中间半导体装置处的所述耦合点到所述群组的其它半导体装置的负载可能更加平衡更加平衡的拓扑可减少信号到达所述半导体装置中的每一者的时间之间的时序差异。
用于耦合半导体装置设备方法

[发明专利]封装结构的制作方法及封装结构-CN202210272769.3在审
发明人：王宏杰;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种封装结构的制作方法及封装结构，其中，所述方法包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括多个第一半导体芯片，该半导体晶片上的多个第一半导体芯片构成一个整体结构，针对每个所述第一半导体芯片，在第一半导体芯片的非光耦合区上制作环绕光耦合区的光耦合区保护环，使得在第一半导体芯片的非光耦合区上制作塑封层时，令光耦合区的上表面不被塑封层覆盖，保护光耦合区内光耦合接口不被塑封层中的有机物污染的同时，还保证了光耦合区的表面纯净，有利于后续光耦合接口能够与光纤阵列维持较高的耦合效率
封装结构制作方法

[发明专利]半导体激光耦合匀化装置-CN201310120355.X无效
发明人：毛小洁;秘国江;邹跃;庞庆生 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光耦合匀化装置。该方法包括：半导体激光器、与半导体激光器相匹配的聚焦透镜组、以及与聚焦透镜组相匹配的匀化棒；半导体激光器，用于发射半导体激光；聚焦透镜组，用于对半导体激光器发射的半导体激光进行耦合；匀化棒，用于对进行耦合后的半导体激光进行匀化，得到均匀的半导体激光并输出。本发明实施例的半导体激光耦合匀化装置具有结构简单、高耦合效率、高功率、高峰值功率、以及高光束质量的优点。
半导体激光耦合化装

[发明专利]半导体器件-CN201610741795.0在审
发明人：嘉屋旨哲;中原宁 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。实现了半导体器件的性能的提高。该半导体器件包括耦合晶体管，该耦合晶体管由p沟道MOSFET制成且形成在由p型半导体制成的基底上方的n‑型半导体区域中。耦合晶体管具有作为p型半导体区域的resurf层，并且将低压电路区域耦合到高压电路区域，比供应给低压电路区域的电源电势高的电源电势供应给高压电路区域。半导体器件具有p型半导体区域，该p型半导体区域在平面图中形成在n‑型半导体区域围绕耦合晶体管的部分中。
半导体器件

[发明专利]全光波长变换器-CN200810070877.2无效
发明人：黄元庆;吴兆喜 -专利权人：厦门大学
申请日： 2008-04-09 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： G02F2/00 文献下载
摘要：第1耦合器输出端接半导体光放大器输入端；第2耦合器输出端接2个线性半导体光放大器；第3耦合器双向端口接第1线性半导体光放大器，输入端口接可调滤波器，输出端口接第4耦合器；第4耦合器输入端接第3耦合器输出端口和第2线性半导体光放大器。半导体光放大器输入端接第1耦合器输出端，半导体光放大器输出端接可调滤波器。第1线性半导体光放大器一端接第2耦合器的一个输出端，第1线性半导体光放大器另一端接第3耦合器双向端口；第2线性半导体光放大器一端接第2耦合器输出端，第2线性半导体光放大器另一端接第4耦合器输入端。可调滤波器输入端接半导体光放大器，输出端接第3耦合器输入端。
波长变换器

[发明专利]图像传感器模块-CN201010149978.6无效
发明人：李昇铉;黄赞起;李丞镐;朴希掁 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器模块，包括：半导体芯片、固定座和耦合元件。半导体芯片具有：半导体芯片体、在半导体芯片体上的图像传感部、和在半导体芯片体上的焊垫。固定座安装于半导体芯片上，并且具有：在半导体芯片体上的绝缘部；在绝缘部上的连接图案，所述连接图案与焊垫电耦合；和在图像传感部上的透明盖，与绝缘部相连接。耦合元件介于固定座和半导体芯片之间从而固定座和半导体芯片耦合。
图像传感器模块

[发明专利]半导体系统-CN201710762282.2有效
发明人：玄相娥;姜泰珍;金显承;张南圭;崔源锡;郑元敬;李承熏 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种半导体系统可以包括：外部通道，包括CA(命令/地址)通道以及第一数据通道和第二数据通道；以及第一半导体芯片和第二半导体芯片，共同耦合到CA通道，耦合到第一数据通道和第二数据通道中的相应的不同数据通道，以及其中的每个半导体芯片包括耦合信息焊盘。第一值可以输入给第一半导体芯片和第二半导体芯片中的耦合到第一数据通道的一个半导体芯片的耦合信息焊盘，而第二值可以输入给耦合到第二数据通道的另一个半导体芯片的耦合信息焊盘。第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个半导体芯片使用施加给CA通道的CA信息和输入给对应的耦合信息焊盘的值来选择性地储存设置信息。
半导体系统

[实用新型]半导体部件-CN201620781502.7有效
发明人： P·文卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰;刘春利;A·萨利赫;P·塞拉亚 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开一个方面涉及半导体部件，具体公开了一种半导体部件，包括支撑部，具有第一和第二器件接纳结构和第一引线；第一半导体芯片，第一栅极接合焊盘和源极接合焊盘从第一表面延伸，漏极触点处于第二表面，栅极接合焊盘与第一引线耦合并且源极接合焊盘与第一器件接纳结构耦合,第一半导体芯片由硅半导体构成并与支撑部耦合；第二半导体芯片，其栅极接合焊盘，源极接合焊盘和漏极接合焊盘从第一表面延伸，第二半导体芯片的源极接合焊盘与第一半导体芯片的第二表面耦合，第二半导体芯片的栅极接合焊盘与第一器件接纳结构耦合，第二半导体芯片的漏极接合焊盘与第二器件接纳结构耦合，第二半导体芯片由III‑N半导体构成并与支撑部耦合。
半导体部件

[发明专利]半导体组件及其形成方法以及光耦合系统-CN202210030543.2在审
发明人：徐敏翔;卓联洲;周淳朴;陈建宏;汤承哲;洪勇智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：一种半导体组件及其形成方法以及光耦合系统。公开具有高耦合效率和低偏振相关损耗的边缘耦合器，以及制造边缘耦合器的方法。在一个实施例中，公开用于光耦合的半导体组件。半导体组件包括：衬底；光波导，在衬底之上；及多个层，在光波导之上。多个层包括设置在半导体组件的边缘的多个耦合柱。多个耦合柱形成边缘耦合器，其被配置为将光波导光学耦合到位于半导体组件的边缘的光纤。
半导体组件及其形成方法以及耦合系统

[发明专利]用于制造垂直型基于鳍片的JFET的方法和系统-CN202210122792.4在审
发明人：克利福德·德劳利;崔浩;安德鲁·P·爱德华兹;苏巴什·斯里尼瓦·皮达帕蒂 -专利权人：新时代电力系统有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种垂直型FET器件包括半导体结构，包括半导体衬底、耦合到半导体衬底的第一半导体层、以及耦合到第一半导体层的第二半导体层。垂直型FET器件还包括多个鳍片。多个鳍片中的相邻鳍片由延伸到第二半导体层中的沟槽分开，并且多个鳍片中的每个鳍片包括布置在第二半导体层中的沟道区。垂直型FET还包括：栅极区，其延伸到多个鳍片中的每个鳍片的沟道区的侧壁部分中；源极金属结构，其耦合到第二半导体层；栅极金属结构，其耦合到栅极区；以及漏极接触，其耦合到半导体衬底。
用于制造垂直基于 jfet 方法系统

[发明专利]光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出方法及输出器-CN200510086955.4无效
发明人：郑婉华;马小涛;任刚;蔡向华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用于光子集成芯片的光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出方法及输出器。该方法包括：1)在半导体芯片上依次放置一二维半导体光子晶体激光器和一二维半导体光子晶体波导；2)利用泵浦源泵浦半导体光子晶体激光器，产生边发射激光；3)所述边发射激光与光子晶体波导耦合，实现二维半导体光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出该耦合输出器包括：二维半导体光子晶体激光器，二维半导体光子晶体波导与所述二维半导体光子晶体激光器依次放置在半导体芯片上，所述二维半导体光子晶体波导的区域与所述二维半导体光子晶体激光器的输出激光场有交叠，满足激光与波导耦合的要求。本发明具有耦合效率高、损耗低的优点。
光子晶体激光器波导耦合输出方法

[发明专利]光纤耦合半导体激光器-CN201911243408.0在审
发明人：郭彪;王英顺;张厚博 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种光纤耦合半导体激光器，涉及半导体激光器技术领域，包括管壳、半导体激光器芯片、非球透镜、柱透镜以及球透镜；管壳的内腔底部设有热沉，管壳的侧壁上还设有耦合光纤；半导体激光器芯片设置于热沉上且远离耦合光纤；非球透镜设置于半导体激光器芯片与耦合光纤之间，且非球透镜靠近半导体激光器芯片；柱透镜设置于非球透镜与耦合光纤之间且靠近非球透镜；球透镜设置于柱透镜与耦合光纤之间。本发明提供的光纤耦合半导体激光器，采用非球透镜、柱透镜和球透镜结合的方式，能够分别从快轴和慢轴方向上实现对半导体激光器的输出光场的有效整形，保证了输出光功率的稳定性，提高了半导体激光器的耦合效率。
光纤耦合半导体激光器

[发明专利]具有磁耦合设备的半导体开关-CN201780086476.3有效
发明人：陈楠;K·伊尔维斯;M·纳瓦兹 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H03K17/0814 文献下载
摘要：本公开涉及用于电力电子(PE)转换器(1)的半导体开关支路S。开关支路包括多个并联连接的半导体器件Sa‑d。每个半导体器件连接有将半导体器件连接到转换器的能量存储设备(2)的正极端子的正导体a‑d+、以及将半导体器件连接到转换器的能量存储设备(2)的负极端子的负导体a‑d‑，半导体器件与正导体和负导体一起形成跨过能量存储设备的电流路径半导体开关支路包括多个磁耦合设备3a‑d，每个磁耦合设备被布置在多个半导体器件中的相应的两个相邻半导体器件的两条电流路径之间，使得两个半导体器件中的一个半导体器件的电流路径与两个半导体器件中的另一半导体器件的电流路径穿过磁耦合设备，并且使得每条电流路径穿过所述多个磁耦合设备中的两个磁耦合设备。
具有耦合设备半导体开关

[发明专利]具有穿模的第一级互连的3D集成电路封装件-CN201180075749.7在审
发明人： D.马利克;R.L.桑克曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：例如，半导体封装件包含衬底。底部半导体管芯具有活动侧，该活动侧具有表面区域。底部半导体管芯利用远离衬底的活动侧而耦合到衬底。顶部半导体管芯具有活动侧，该活动侧具有大于底部半导体管芯的表面区域的表面区域。顶部半导体管芯利用接近衬底的活动侧而耦合到衬底。底部半导体管芯的活动侧面对并且传导地耦合到顶部半导体管芯的活动侧。顶部半导体管芯通过绕过底部半导体管芯的第一级互连而传导地耦合到衬底。
具有一级互连集成电路封装

[发明专利]具有耦合器的半导体芯片配置-CN201410094438.0有效
发明人： G.萨波内;S.特罗塔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明公开了具有耦合器的半导体芯片配置。半导体器件包括半导体衬底、初级线圈和次级线圈。耦合器的初级线圈设置在半导体衬底上方并且耦合器的次级线圈设置在半导体衬底上方邻近初级线圈。初级线圈包括耦合到第一接触端子的第一端、耦合到第二接触端子的第二端和耦合到参考节点的第一中心抽头。
具有耦合器半导体芯片配置

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